Dear Shriram,<br><br>I would apologize for the late answer (we are in a constant overload situation for the next<br>Scilab 5.0 release).<br><br>I would say a big "thanks" to Masoud for his indispensable and timely help (Masoud is the

main contributor of  Modelica integration in Scicos). Some notes about the diagram: - before start a simulation is better use reasonable values (close to the real one) for components   parameter's.  Avoid this rule at your risk when are playing with POWER circuits !

I choose L=0.1Henry and R=0.1Ohm.  The relative  time constant is L/R = 1s.  Probably the real circuits   is faster: you are more expert than me. - I left the MOSFET parameter's  as default. It is not a very good choice because I'm breaking the rule #1.

The simulation woks quite good, but for useful results you need to tune MOSFET parameter's in order to   "clone" the performances of the real one. I would suggest a "Italian Made" STB150NF55 by ST .

<br>   Masoud still have MY book on MOSFET modeling, so ask him for more information about MOSFET<br>   parameter's tuning ;).<br><br>- I added a small value resistor (100Ohm) in series with the gate of the MOSFET. Drive a gate with an ideal 

<br>  voltage source is not a very good idea. The MOSFET equivalent input circuits is a  capacitance and drive<br>  a capacitor with a ideal voltage source can create issues in the calculation of the input gate current :<br>

  i = C d vg / dt . If "vg" is a voltage step the input current is infinite and you have a convergence problem.<br>  In the "real world" the input equivalent circuits is a non-linear, time varying capacitance with a parallel non linear,

<br>  time varying, conductance. This conductance  can  be NEGATIVE.  If you add the inevitable inductance of the <br>  wiring, you can obtain a nice 10MHz oscillator. Normally these oscillation destroy the real device.<br>

  Usually the minimum gate resistor is in the order of 10 Ohms. An alternative, safer, solution is drive the gate<br>  with a "voltage clamped" current source.<br><br>- Push the KP gain is not dangerous (in the simulation) because the system is - basically - first order... BUT

look at the Gate voltage: more than 30 volt ! You will destroy the real device. I introduced a saturation to    limit the gate voltage (look at the second attached file). In the real circuits a Zener diode will clamp the voltage.

<br><br>- Using linear drive you need to add a big heath sink to the MOSFET. Use a PWM circuits is a better solution.<br>  Masoud has some prepared some ready made examples inside "demos/Electrical" folder.<br><br>

Please don't hesitate to contact us for further help for your application: Laurent Vaylet is a mechanical engineer with<br>some first-hands experiences in the automotive world.<br><br>Best Regards<br><br>   Simone Mannori - Scilab/INRIA Rocquencourt

<br><br><br>P.S. Thanks to Sylvestre for his "postman" job ;).<br><br><br>